קנה Vishay Siliconix SIZF916DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIZF916DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

מספר חלק

SIZF916DT-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

כוח - מקסימום

3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

חבילת מכשירי ספק

8-PowerPair® (6x5)

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

23A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

22nC @ 10V, 95nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1250 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3