קנה Vishay Siliconix SIZF300DT-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

מספר חלק

SIZF300DT-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

כוח - מקסימום

3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

חבילת מכשירי ספק

8-PowerPair® (6x5)

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

22nC @ 10V, 62nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1909 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3