קנה Vishay Siliconix SIZF906DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIZF906DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

מספר חלק

SIZF906DT-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TA)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

כוח - מקסימום

38W (Tc), 83W (Tc)

חבילת מכשירי ספק

PowerPAIR® 6x5F

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 949 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3