קנה Infineon Technologies IPI030N10N3GHKSA1 MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPI030N10N3GHKSA1

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

מספר חלק

IPI030N10N3GHKSA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

PG-TO262-3

פיזור כוח (מקסימום)

300W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 275µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

206nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

14800pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

6V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3524 PCS

פרטי התקשרות