קנה Infineon Technologies IPI024N06N3GXKSA1 MOSFET N-CH 60V 120A

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPI024N06N3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 120A

מספר חלק

IPI024N06N3GXKSA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

PG-TO262-3

פיזור כוח (מקסימום)

250W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 196µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

275nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

23000pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3441 PCS

פרטי התקשרות