קנה Infineon Technologies IPI020N06NAKSA1 MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPI020N06NAKSA1

MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

מספר חלק

IPI020N06NAKSA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Bulk

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

PG-TO262-3

פיזור כוח (מקסימום)

3W (Ta), 214W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

29A (Ta), 120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 143µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

106nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

7800pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

6V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1335 PCS

פרטי התקשרות