קנה Vishay Siliconix SQJ204EP-T1_GE3 MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SQJ204EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

מספר חלק

SQJ204EP-T1_GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8 Dual

כוח - מקסימום

27W (Tc), 48W (Tc)

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

סוג FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

20nC @ 10V, 50nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 50 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO