קנה Vishay Siliconix SQJ200EP-T1_GE3 MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

מספר חלק

SQJ200EP-T1_GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8 Dual

כוח - מקסימום

27W, 48W

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

20A, 60A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

18nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

975pF @ 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1601 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO