קנה Vishay Siliconix SQD10N30-330H_GE3 MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SQD10N30-330H_GE3

MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

מספר חלק

SQD10N30-330H_GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

TO-252AA

פיזור כוח (מקסימום)

107W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

300V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

47nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2190pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3075 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA