קנה Vishay Siliconix SQD100N04-3M6_GE3 MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SQD100N04-3M6_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

מספר חלק

SQD100N04-3M6_GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

TO-252AA

פיזור כוח (מקסימום)

136W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

105nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

6700pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2972 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA