קנה Vishay Siliconix SISH615ADN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SISH615ADN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212

מספר חלק

SISH615ADN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen III

סטטוס חלק

Active

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8SH

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8SH

פיזור כוח (מקסימום)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

סוג FET

P-Channel

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

183nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

5590pF @ 10V

Vgs (מקסימום)

±12V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3326 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH