קנה Vishay Siliconix SISH110DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SISH110DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH

מספר חלק

SISH110DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen II

סטטוס חלק

Active

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8SH

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8SH

פיזור כוח (מקסימום)

1.5W (Ta)

סוג FET

N-Channel

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

13.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3 mOhm @ 21.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (מקסימום)

±20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 50 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH