קנה Vishay Siliconix SISH129DN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SISH129DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

מספר חלק

SISH129DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-50°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8S

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8S

פיזור כוח (מקסימום)

3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

14.4A (Ta), 35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4 mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

71nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3345pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1547 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH