קנה Vishay Siliconix SISH434DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SISH434DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

מספר חלק

SISH434DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8SH

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8SH

פיזור כוח (מקסימום)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

סוג FET

N-Channel

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

17.6A (Ta), 35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6 mOhm @ 16.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

40nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1530pF @ 20V

Vgs (מקסימום)

±20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 6000 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH