קנה Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIS932EDN-T1-GE3

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

מספר חלק

SIS932EDN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8 Dual

כוח - מקסימום

2.6W (Ta), 23W (Tc)

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8 Dual

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

14nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1000pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1453 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIS902DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8