קנה Vishay Siliconix SIS902DN-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIS902DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

מספר חלק

SIS902DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8 Dual

כוח - מקסימום

15.4W

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8 Dual

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

75V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

186 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

6nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

175pF @ 38V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2828 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIS902DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8