קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1,LQ MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK55S10N1,LQ

MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

מספר חלק

TK55S10N1,LQ

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

U-MOSVIII-H

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

DPAK+

פיזור כוח (מקסימום)

157W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

55A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 500µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

49nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3280pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2568 PCS

פרטי התקשרות