קנה Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1(Q) MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TK55D10J1(Q)

MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

מספר חלק

TK55D10J1(Q)

יצרן/מותג

Toshiba Semiconductor and Storage

סִדרָה

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-220-3

חבילת מכשירי ספק

TO-220(W)

פיזור כוח (מקסימום)

140W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

55A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5 mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

110nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

5700pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2652 PCS

פרטי התקשרות