קנה Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CW RPG MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

TSM900N06CW RPG

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223

מספר חלק

TSM900N06CW RPG

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-261-4, TO-261AA

חבילת מכשירי ספק

SOT-223

פיזור כוח (מקסימום)

25W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

9.3nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

500pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 706 PCS

פרטי התקשרות