קנה Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH X0G MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

TSM900N06CH X0G

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251

מספר חלק

TSM900N06CH X0G

יצרן/מותג

Taiwan Semiconductor Corporation

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-251-3 Stub Leads, IPak

חבילת מכשירי ספק

TO-251 (IPAK)

פיזור כוח (מקסימום)

25W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

9.3nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

500pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2333 PCS

פרטי התקשרות