קנה Infineon Technologies IPI60R165CPAKSA1 MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPI60R165CPAKSA1

MOSFET N-CH 650V 21A TO-262

מספר חלק

IPI60R165CPAKSA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

CoolMOS™

סטטוס חלק

Not For New Designs

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

PG-TO262-3

פיזור כוח (מקסימום)

192W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 790µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

52nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2000pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2294 PCS

פרטי התקשרות