קנה Infineon Technologies IPI600N25N3GAKSA1 MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPI600N25N3GAKSA1

MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3

מספר חלק

IPI600N25N3GAKSA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

חבילת מכשירי ספק

PG-TO262-3

פיזור כוח (מקסימום)

136W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

250V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

29nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2350pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1345 PCS

פרטי התקשרות