קנה Infineon Technologies IPD80N04S306ATMA1 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPD80N04S306ATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

מספר חלק

IPD80N04S306ATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Not For New Designs

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

PG-TO252-3

פיזור כוח (מקסימום)

100W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

90A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 52µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

47nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3250pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1169 PCS

פרטי התקשרות