קנה Infineon Technologies IPD800N06NGBTMA1 MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPD800N06NGBTMA1

MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

מספר חלק

IPD800N06NGBTMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

PG-TO252-3

פיזור כוח (מקסימום)

47W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 16µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

10nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

370pF @ 30V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1417 PCS

פרטי התקשרות