קנה Infineon Technologies IPB50N10S3L16ATMA1 MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPB50N10S3L16ATMA1

MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3

מספר חלק

IPB50N10S3L16ATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

PG-TO263-3-2

פיזור כוח (מקסימום)

100W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.4 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 60µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

64nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4180pF @ 25V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3476 PCS

פרטי התקשרות