קנה Infineon Technologies IPB50CN10NGATMA1 MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

IPB50CN10NGATMA1

MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

מספר חלק

IPB50CN10NGATMA1

יצרן/מותג

Infineon Technologies

סִדרָה

OptiMOS™

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

חבילת מכשירי ספק

PG-TO263-3-2

פיזור כוח (מקסימום)

44W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 20µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

16nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1090pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1829 PCS

פרטי התקשרות