קנה WeEn Semiconductors BYC30WT-600PQ DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

BYC30WT-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3

מספר חלק

BYC30WT-600PQ

יצרן/מותג

WeEn Semiconductors

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-247-3

חבילת מכשירי ספק

TO-247-3

סוג דיודה

Standard

נוכחי - ממוצע מתוקן (Io)

30A

מתח - קדימה (Vf) (מקס) @ אם

2.75V @ 30A

זרם - דליפה הפוכה @ Vr

10µA @ 600V

מתח - DC הפוך (Vr) (מקסימום)

600V

מְהִירוּת

Fast Recovery = 200mA (Io)

זמן התאוששות הפוך (trr)

22ns

טמפרטורת הפעלה - צומת

175°C (Max)

קיבול @ Vr, F

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3792 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

BYC30-1200PQ

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC