קנה Vishay Siliconix SUD35N10-26P-E3 MOSFET N-CH 100V 35A TO252

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SUD35N10-26P-E3

MOSFET N-CH 100V 35A TO252

מספר חלק

SUD35N10-26P-E3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

חבילת מכשירי ספק

TO-252

פיזור כוח (מקסימום)

8.3W (Ta), 83W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

47nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2000pF @ 12V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

7V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3750 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SUD35N05-26L-E3

MOSFET N-CH 55V 35A TO252