קנה Vishay Siliconix SIZ704DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIZ704DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

מספר חלק

SIZ704DT-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

6-PowerPair™

כוח - מקסימום

20W, 30W

חבילת מכשירי ספק

6-PowerPair™

סוג FET

2 N-Channel (Half Bridge)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

12A, 16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

12nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

435pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 645 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIZ700DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8