קנה Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V

חרסינה
ספק רכיבים אלקטרוניים מקצועי

קטלוגים יצרנים CN ICs

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIZ200DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

מספר חלק

SIZ200DT-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerWDFN

כוח - מקסימום

4.3W (Ta), 33W (Tc)

חבילת מכשירי ספק

8-PowerPair® (3.3x3.3)

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Standard

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

28nC @ 10V, 30nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 4348 PCS

פרטי התקשרות