קנה Vishay Siliconix SIUD412ED-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIUD412ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

מספר חלק

SIUD412ED-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 0806

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 0806

פיזור כוח (מקסימום)

1.25W (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

500mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

340 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

0.71nC @ 4.5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

21pF @ 6V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

1.2V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±5V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2361 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIUD402ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806