קנה Vishay Siliconix SISS46DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SISS46DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S

מספר חלק

SISS46DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8S

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8S

פיזור כוח (מקסימום)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

סוג FET

N-Channel

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

12.5A (Ta), 45.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.8 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

42nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2140pF @ 50V

Vgs (מקסימום)

±20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

7.5V, 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 50 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-