קנה Vishay Siliconix SISS02DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

מספר חלק

SISS02DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8S

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8S

פיזור כוח (מקסימום)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

25V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

51A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

83nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

4450pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

+16V, -12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1196 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-