קנה Vishay Siliconix SISS10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

מספר חלק

SISS10DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

פיזור כוח (מקסימום)

57W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

40V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

75nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3750pF @ 20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

+20V, -16V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1639 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-