קנה Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SISC06DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

מספר חלק

SISC06DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8

פיזור כוח (מקסימום)

3.7W (Ta), 46.3W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

Schottky Diode (Isolated)

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

27.6A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

58nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2455pF @ 15V

Vgs (מקסימום)

+20V, -16V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2542 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SISC050N10DX1SA1

MOSFET N-CHAN SAWED WAFER