קנה Vishay Siliconix SISA10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SISA10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

מספר חלק

SISA10DN-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® 1212-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® 1212-8

פיזור כוח (מקסימום)

3.6W (Ta), 39W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

51nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

2425pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

+20V, -16V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3822 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SISA01DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8