קנה Vishay Siliconix SIR606BDP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

מספר חלק

SIR606BDP-T1-RE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8

פיזור כוח (מקסימום)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

10.9A (Ta), 38.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

30nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1470pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

7.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1154 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8