קנה Vishay Siliconix SIJ186DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L

חרסינה
ספק רכיבים אלקטרוניים מקצועי

קטלוגים יצרנים CN ICs

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIJ186DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L

מספר חלק

SIJ186DP-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8

פיזור כוח (מקסימום)

5W (Ta), 57W (Tc)

סוג FET

N-Channel

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

23A (Ta), 79.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

37nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1710pF @ 30V

Vgs (מקסימום)

±20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

6V, 10V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 50 PCS

פרטי התקשרות