קנה Vishay Siliconix SIHW33N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIHW33N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

מספר חלק

SIHW33N60E-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tube

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-3P-3 Full Pack

חבילת מכשירי ספק

TO-247AD

פיזור כוח (מקסימום)

278W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

600V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

33A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

150nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3508pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1068 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIHW23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD