קנה Vishay Siliconix SIHU3N50DA-GE3 MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIHU3N50DA-GE3

MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

מספר חלק

SIHU3N50DA-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילה / מארז

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

חבילת מכשירי ספק

IPAK (TO-251)

פיזור כוח (מקסימום)

69W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

500V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

12nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

177pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 679 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK