קנה Vishay Siliconix SIHJ6N65E-T1-GE3 MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIHJ6N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

מספר חלק

SIHJ6N65E-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8

פיזור כוח (מקסימום)

74W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

650V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

5.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

868 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

32nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

596pF @ 100V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

10V

Vgs (מקסימום)

±30V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1729 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO