התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
מספר חלק
SIHF12N65E-GE3
יצרן/מותג
סִדרָה
-
סטטוס חלק
Active
אריזה
Bulk
טֶכנוֹלוֹגִיָה
MOSFET (Metal Oxide)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
חבילת מכשירי ספק
TO-220 Full Pack
פיזור כוח (מקסימום)
33W (Tc)
סוג FET
N-Channel
תכונת FET
-
מתח ניקוז למקור (Vdss)
650V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs
70nC @ 10V
קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds
1224pF @ 100V
מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)
10V
Vgs (מקסימום)
±30V
בקש הצעת מחיר
אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.
במלאי 3266 PCS
פרטי התקשרות
מילות מפתח של SIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3 רכיבים אלקטרוניים
SIHF12N65E-GE3 מכירות
ספק SIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3 מפיץ
SIHF12N65E-GE3 טבלת נתונים
SIHF12N65E-GE3 תמונות
מחיר SIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3 הצעה
SIHF12N65E-GE3 המחיר הנמוך ביותר
חיפוש SIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3 רכישה
שבב SIHF12N65E-GE3