קנה Vishay Siliconix SIDR392DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30V

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIDR392DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30V

מספר חלק

SIDR392DP-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET® Gen IV

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SO-8

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SO-8DC

פיזור כוח (מקסימום)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

82A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.62 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

188nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

9530pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

+20V, -16V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3354 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC