קנה Vishay Siliconix SIA912DJ-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SIA912DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

מספר חלק

SIA912DJ-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Digi-Reel®

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SC-70-6 Dual

כוח - מקסימום

6.5W

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SC-70-6 Dual

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

11.5nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

400pF @ 6V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1039 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6