קנה Vishay Siliconix SIA910EDJ-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

מספר חלק

SIA910EDJ-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

PowerPAK® SC-70-6 Dual

כוח - מקסימום

7.8W

חבילת מכשירי ספק

PowerPAK® SC-70-6 Dual

סוג FET

2 N-Channel (Dual)

תכונת FET

Logic Level Gate

מתח ניקוז למקור (Vdss)

12V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

16nC @ 8V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

455pF @ 6V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1564 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6