קנה Vishay Siliconix SI4116DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI4116DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC

מספר חלק

SI4116DY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Digi-Reel®

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירי ספק

8-SO

פיזור כוח (מקסימום)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

25V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.6 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

56nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

1925pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1396 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC