קנה Vishay Siliconix SI4100DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI4100DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

מספר חלק

SI4100DY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירי ספק

8-SO

פיזור כוח (מקסימום)

2.5W (Ta), 6W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

100V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

6.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63 mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

20nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

600pF @ 50V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

6V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 1393 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI4100DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC