קנה Vishay Siliconix SI4010DY-T1-GE3 MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO

מספר חלק

SI4010DY-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TA)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

חבילת מכשירי ספק

8-SO

פיזור כוח (מקסימום)

6W (Tc)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

30V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

31.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

77nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

3595pF @ 15V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

+20V, -16V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 3821 PCS

פרטי התקשרות