קנה Vishay Siliconix SI3127DV-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

DataSheets

SI3127DV-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S

מספר חלק

SI3127DV-T1-GE3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Active

אריזה

Cut Tape (CT)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

חבילת מכשירי ספק

6-TSOP

פיזור כוח (מקסימום)

2W (Ta), 4.2W (Tc)

סוג FET

P-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

60V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

3.5A (Ta), 13A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

89 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

30nC @ 10V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

833pF @ 20V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

4.5V, 10V

Vgs (מקסימום)

±20V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2462 PCS

פרטי התקשרות