קנה Vishay Siliconix SI1058X-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

התמונה עשויה להיות ייצוג.
ראה מפרטים לפרטי מוצר.

הצג מידע נוסף DataSheets

SI1058X-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

מספר חלק

SI1058X-T1-E3

יצרן/מותג

Vishay Siliconix

סִדרָה

TrenchFET®

סטטוס חלק

Obsolete

אריזה

Tape & Reel (TR)

טֶכנוֹלוֹגִיָה

MOSFET (Metal Oxide)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילה / מארז

SOT-563, SOT-666

חבילת מכשירי ספק

SC-89-6

פיזור כוח (מקסימום)

236mW (Ta)

סוג FET

N-Channel

תכונת FET

מתח ניקוז למקור (Vdss)

20V

זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

91 mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.55V @ 250µA

טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs

5.9nC @ 5V

קיבול קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds

380pF @ 10V

מתח הנעה (מקסימום Rds פועל, מינימום Rds פועל)

2.5V, 4.5V

Vgs (מקסימום)

±12V

בקש הצעת מחיר

אנא מלא את כל השדות הנדרשים ולחץ על שלח, אנו ניצור איתך קשר תוך 12 שעות בדוא"ל. אם יש לך בעיה כלשהי, אנא השאר הודעות או דוא"ל אל [email protected], אנו נגיב בהקדם האפשרי.

במלאי 2827 PCS

פרטי התקשרות

מוצרים קשורים

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN